美國KemLab正性光刻膠

美國KemLab正性光刻膠KLT 5300

正性光刻膠 (Positive Photoresist)

描述： KLT 5300 是一款針對 i-Line、g-Line 和寬譜曝光應用優(yōu)化的正性光刻膠。KLT 5300 具有高靈敏度、高產能的特點，適用于集成電路 (IC) 制造。

• ● 膜厚范圍：0-2.5 μm

• ● 設計用于行業(yè)標準的 0.26 N TMAH（四甲基氫氧化銨）顯影液

• ● 可提供定制配方

美國KemLab正性光刻膠KLT 5300

基底 (Substrate)

KLT 5300 可粘附于多種基底，包括硅 (silicon)、玻璃 (glass)、金 (gold)、鋁 (aluminum)、鉻 (chromium) 和銅 (copper)。建議使用 HMDS（六甲基二硅氮烷）底涂劑。HMDS 底涂劑將增強其與大多數(shù)基底的粘附性。

旋涂 (Spin Coat)

目標膜厚使用右側的旋涂速度曲線圖確定。涂膠程序包括一個 5 秒的鋪展循環(huán)。在最終轉速下的旋涂時間為 45 秒。旋涂曲線是使用 6 英寸硅片和靜態(tài)滴涂約 3 ml KLT 5300 光刻膠測定的。

對于 KLT 5300 和大多數(shù)其他厚度在 10 微米以下的正性光刻膠，微調膜厚的公式如下：
新旋涂速度 = 原旋涂速度 × (實測膜厚 / 目標膜厚)2

前烘 (Soft Bake)

推薦的熱板前烘溫度為 90°C - 105°C。典型的烘烤時間為 60 秒。

曝光與光學參數(shù) (Exposure & Optical Parameters)

KLT 5300 適用于 i-Line、寬譜或 g-Line 曝光。

曝光后烘烤 (Post-Exposure Bake, PEB)

在接觸式熱板上以 115°C 烘烤 60 秒。

顯影 (Develop)

KLT 5300 針對使用 0.26N TMAH 顯影液進行了優(yōu)化。

光刻膠去除 (Photoresist Removal)

KLT 5300 可使用行業(yè)標準的去除劑（如 NMP（N-甲基吡咯烷酮）、DMSO（二甲基亞砜）等）在 50-80°C 的溫度下去除。

較厚的膠膜可受益于采用雙槽工藝：第一槽去除大部分光刻膠，第二槽清潔干凈。

儲存 (Storage)

將產品直立存放于密閉容器中，溫度保持在 40-70°F (4-21°C)。遠離氧化劑、酸、堿和火源。