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在微納加工領域，選擇一款分辨率高、工藝寬容度大且耐刻蝕的光刻膠至關重要。micro resist technology GmbH 推出的 ma-N 2400 與 mr-EBL 6000 兩大負性光刻膠系列，為您的電子束曝光及深紫外光刻工藝提供優質解決方案。
ma-N 2400 系列：經典可靠，雙敏感型
類型：負性光刻膠，同時對電子束和深紫外（DUV）敏感。
分辨率：電子束曝光下可實現 （注：資料中展示了50nm線寬/80nm點陣） 高分辨率圖形。
顯影友好：采用TMAH或NaOH堿性水溶液顯影，避免有機溶劑溶脹問題。
耐刻蝕性：具有高干法/濕法刻蝕抗性，圖形熱穩定性優異。
適用性：提供從0.1μm到1.0μm（2401/2403/2405/2410）多種膜厚選擇。
mr-EBL 6000 系列：化學放大，超高效率
類型：化學放大負性電子束光刻膠。
高靈敏度：相比傳統負膠，曝光速度顯著提升（例如10keV下僅需2-6 μC/cm2），大幅縮短寫入時間。
分辨率：穩定實現80nm線寬/點陣的 精細結構。
熱穩定性：經過后烘（PEB）后交聯牢固，耐刻蝕性。
膜厚選擇：提供100nm、300nm、500nm（6000.1/6000.3/6000.5）標準膜厚。
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無論是研發還是量產，ma-N 2400 與 mr-EBL 6000 都能為您提供從紫外到電子束的
追求更高的分辨率是微納加工不變的課題。ma-N 2400 與 mr-EBL 6000 系列光刻膠，為電子束光刻（EBL）用戶提供了競爭力的高分辨率選項。
ma-N 2400：已驗證的高分辨率能力
憑借其高對比度和堿性顯影特性，能夠有效抑制鄰近效應，邊緣粗糙度優異。
mr-EBL 6000：靈敏與分辨率的平衡
100nm膜厚下，能夠穩定制備 80nm 線條與點陣，特別適合高密度、大面積納米器件制備。
由于靈敏度高，可在保持高分辨率的前提下實現快速曝光，減少因設備漂移帶來的誤差。
負性圖
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