KemLab 正性光刻膠

KemLab 正性光刻膠 KLT 6000

描述： KLT 6000 是一款適用于 i-Line、g-Line 和寬帶應(yīng)用的正性光刻膠。KLT 6000 具有高靈敏度、高通量和優(yōu)異的工藝寬容度。

• 單次涂布覆蓋 2.5-12 微米厚度

• 設(shè)計(jì)用于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 0.26 N TMAH 顯影液

• ● 無需后烘 (PEB)

• ● 可提供定制配方

基板 (Substrate)

KLT6000 可粘附于多種基板，包括金、玻璃、鋁、鉻和銅。建議使用 HMDS（六甲基二硅氮烷）底涂劑。HMDS 底涂劑將增強(qiáng) KLT6000 對大多數(shù)基板的附著力。

旋涂 (Spin Coat)

目標(biāo)膜厚使用右圖所示的旋涂速度曲線確定。涂布程序包括 5-10 秒的鋪展循環(huán)；較厚膜層使用較長時(shí)間。最終轉(zhuǎn)速下的旋涂時(shí)間為 45 秒。旋涂曲線使用 6 英寸硅片和靜態(tài)點(diǎn)膠約 4 ml KLT6000 光刻膠測定。

對于 KLT6000 及大多數(shù)其他低于 10 微米的正性光刻膠，微調(diào)膜厚的公式如下：

新旋涂速度 = 原旋涂速度 × (實(shí)測膜厚 / 目標(biāo)膜厚)2

前烘 (Soft Bake)

推薦的烘板前烘溫度為 $105^{°}C+/?5^{°}C$。典型烘烤時(shí)間為 120 秒；更長的烘烤時(shí)間有助于去除較厚膜層中的澆鑄溶劑。

曝光與光學(xué)參數(shù) (Exposure & Optical Parameters)

KLT 6000 適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。

后烘 (Post-Exposure Bake, PEB)

對于大多數(shù)應(yīng)用，無需進(jìn)行后烘 (PEB)。

如果特定工藝需要 PEB，請?jiān)诮佑|式烘板上以 90°C 烘烤 90 秒。

顯影 (Develop)

KLT6000 設(shè)計(jì)用于 0.26N TMAH 顯影液。可采用浸沒式、浸沒或噴霧-浸沒方式顯影。較厚的膜層在顯影步驟中更新顯影液會(huì)受益，例如采用雙重浸沒。

詳情請見工藝指南表。

蝕刻阻擋 (Etch Resist)

濕法化學(xué)蝕刻液（用于金、銅、鉻、鋁等）不會(huì)降解 KLT6000 制作的圖形。

光刻膠去除 (Photoresist Removal)

KLT6000 可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)去膠劑（如 NMP、DMSO 等）在 50-80°C 下去除。

較厚的膜層可采用雙槽工藝去除：第一個(gè)槽去除大部分光刻膠，第二個(gè)槽清潔干凈。

儲(chǔ)存 (Storage)

請將產(chǎn)品直立存放在密閉容器中，儲(chǔ)存于 40-70°F (4-21°C) 的環(huán)境下。遠(yuǎn)離氧化劑、酸、堿和火源。

操作與處置注意事項(xiàng) (Handling & Disposal Considerations)

請查閱 MSDS（材料安全數(shù)據(jù)表）以了解操作方法和適當(dāng)?shù)膫€(gè)人防護(hù)設(shè)備 (PPE)。KLT 6000 含有易燃液體；遠(yuǎn)離火源、熱源、火花和火焰。

KemLab 正性光刻膠 KLT 6000