快速退火爐用于半導體硅片精密退火與工藝研發

MYCRO這款RTP-500SV快速退火爐可實現100–1300℃范圍內的高速、精準熱處理，專為4英寸硅片退火及半導體材料工藝研發而設計。

快速退火爐（RTP）

——用于半導體硅片精密退火與工藝研發

在半導體材料與器件制造過程中，硅片退火工藝對晶格修復、摻雜激活、薄膜質量及器件性能具有決定性影響。本快速退火爐（Rapid Thermal Processor, RTP）采用高功率鹵鎢燈輻射加熱技術，結合精準溫控與多重安全保護，為4英寸及以下硅片提供穩定、可重復的快速熱處理解決方案。

典型應用

離子注入后退火（摻雜激活、損傷修復）

硅片應力釋放與晶體結構優化

氧化 / 氮化工藝后的熱處理

新材料、新結構及新工藝研發

半導體材料教學與科研實驗

核心技術優勢

??超寬溫度范圍與高精度控制

溫度設定范圍：100 – 1300℃

全溫區測溫精度優于 0.5%（100–1300℃）

穩態溫度穩定性：±1℃

雙閉環溫度控制，1000℃可連續穩定工作>1小時

??高速、可控的熱處理能力

升溫速率：2 – 200℃/秒，可調

每段工藝時間設定范圍：1 – 30,000秒

有效降低熱擴散，滿足工藝需求

??高度靈活的工藝編程

PC 筆記本電腦控制（Windows 7+RTP控制軟件）

可存儲500條以上溫度曲線

每條曲線支持50段以上程序步驟

工藝數據可導出為文本文件，便于分析與追溯

主要技術參數

樣品尺寸：4 英寸硅片

測溫方式：K 型熱電偶

加熱光源：1.25 kW × 13 支鹵鎢燈

密封石英腔體內尺寸：215 × 140 × 14 mm

工藝氣體：1 路 MFC 質量流量控制器

真空系統：配套真空油泵，抽速 8 m3/h