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      當前位置:首頁  >  技術(shù)文章

      • 2020

        10-27

        等離子去膠機是我們在微波等離子處理工藝中的新產(chǎn)品。該批次式晶圓灰化設備成本低廉、尺寸適中,特別適用于工廠、科研院所等領(lǐng)域。等離子去膠機操作規(guī)程:1、自動切割小車應經(jīng)空車運轉(zhuǎn),并選定切割速度;2、使用釷、鎢電極應符合JGJ33-2001第12.7.8條規(guī)定;3、高頻發(fā)生器應設有屏蔽護罩,用高頻引弧后,應立即切斷高頻電路;4、應檢查并確認電源、氣源、水源無漏電、漏氣、漏水,接地或接零安全可靠;5、操作人員應站在上風處操作??蓮墓ぷ髋_下部抽風,并宜縮小操作臺上的敞開面積;6、小車、...

      • 2020

        9-27

        等離子刻蝕機一般應用于半導體加工領(lǐng)域,而等離子清洗機則一般應用于材料領(lǐng)域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學。因此能改變材料的表面性質(zhì)。例如,大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面產(chǎn)生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性(水接觸角小于30度),并增加表面潤濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學(表面性質(zhì)),如硅、不銹鋼及玻璃。用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料,材料的表面形態(tài)發(fā)生顯著的變化,引入了多種...

      • 2020

        9-23

        PDMS是一種有機聚合物材料,廣泛應用微流控芯片實驗室。今天我們來介紹有關(guān)如何進行PDMS光刻復制,也稱為軟光刻工藝,為您提供一些實驗中的小技巧,優(yōu)化您的實驗結(jié)果。01硅烷化模具的制備*使用模具時,必須使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很強的親水性,因此PDMS對它有良好的親和力,其強度足以使之無法剝離,只能將模具破壞并從頭開始實驗。這里我們使用硅烷功能,一旦在表面上yongjiu粘合,也可使接觸角超過90°,表面疏水??梢允褂脷怏w或液體處理,即通過氣體或連續(xù)的液浴將硅烷功...

      • 2020

        9-23

        懸浮活性硅膜厚度測量,適用于MEMS微機電系統(tǒng)應用,光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關(guān)重要[1]。在這里,我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度,使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe,該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量,該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

      • 2020

        9-23

        懸浮活性硅膜厚度測量,適用于MEMS微機電系統(tǒng)應用,光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關(guān)重要[1]。在這里,我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度,使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe,該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量,該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

      • 2020

        9-22

        旋涂曲線(spincurve)是光刻膠重要參數(shù)之一,他給我們選擇光刻膠提供了重要的指導意義。所以我們來介紹一下什么是旋涂曲線?怎樣使用旋涂曲線?如何獲得旋涂曲線?什么是光刻膠旋涂曲線?顧名思義,光刻膠旋涂曲線就是在旋涂工藝下,光刻膠的厚度與勻膠轉(zhuǎn)速的關(guān)系曲線。一般來說,某一固定固含量的光刻膠在相同的勻膠條件下都會有一個相對穩(wěn)定的膜厚值。這個厚度隨著勻膠轉(zhuǎn)速的提高而降低。下圖是一個典型的光刻膠旋涂曲線:影響光刻膠旋涂曲線的因素主要有:光刻膠種類和固含量:一般來說,固含量越大,相...

      • 2020

        9-22

        納米制造使用光刻工藝(193nm,EUV,EBL等)涉及廣泛的材料、技術(shù)和相關(guān)的處理步驟,以便生產(chǎn)明確的納米結(jié)構(gòu)。光刻膠的光刻對比曲線是工藝優(yōu)化常用的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度,作為對數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測量方法:在本篇應用案例中,使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對負性抗蝕劑進行曝光,生成100×100μm正方形的陣列,每個正方形對應不同的曝光劑量。在顯影步驟之后,使用FR-μ探針顯微光譜儀工...

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