納米壓印光刻膠

德國Micro Resist公司創立于1993年.公司生產的高性能各種用于微納制作的光刻膠，除了生產用于i、g和h線的光刻膠以外，還有電子束刻蝕膠和納米壓印膠以及專門用于光學波導制作的光膠可供選擇。

IPNR-T1000 Thermoplastic nanoimprint resist 熱塑型納米壓印膠 
分辨率低于10nm 
低壓力壓印(< 20 bar) 
低溫壓力(< 100 ℃) 

IPNR-T2000 Thermal curable nanoimprint resist 熱固化型納米壓印膠 
分辨率低于10nm 
低壓力壓印(< 1 bar)以及低固化溫度(< 100 ℃) 
 熱固化時間短(< 60 s) 
高氧等離子體刻蝕電阻 
均一的膜厚度 

IPNR-PC1000 Photo-curable nanoimprint resist (Free radical initiation) 光固化型納米壓印(自由基引發) 
丙烯酸酯官能化聚硅氧烷抗蝕劑 
真空或者氮氣氣氛下操作 
低于10nm的分辨率 
低壓力壓印以及超快固化時間(< 10 s) 
低紫外照射量 
高氧等離子體刻蝕電阻 
均一的膜厚度 

IPNR-PC2000 Photo-curable nanoimprint resist (cation intiation) 光固化納米壓印蝕劑(陽離子引發) 
乙烯基醚官能化聚硅氧烷抗蝕劑 
空氣氣氛下操作 
分辨率低于10nm 
低壓力壓印(< 1 bar)以及超快固化時間(< 1 bar) 
低紫外照射量 
高氧等離子體刻蝕電阻 
均一的膜厚度 

IPNR-UL1000 Under-layer polymer 舉離型傳遞層材料 
熱塑聚合物發送過程 
強粘附抗蝕劑層以及材料 

IPNR-UL2000 Under-layer polymer 刻蝕型傳遞層材料 
熱固性聚合物刻蝕面罩過程 
強粘附抗蝕劑層以及材料 

IPNR-UPM Quick mold fabrication material 快速模板制作材料 
快速而簡單的塑造材料 
高分辨率以及低成本 
*的化學性以耐溫性 
塑造優良的附著力基板 
可靠的脫模性 

IPNR-AP Chlorosilane based adhesion promoter 氯硅烷增粘劑 
促進和基材之間的附著力 
氣相或者液相處理