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詳細介紹
Futurrex產品優勢：
1、Futurrex光刻膠黏附性好，無需使用增粘劑（HMDS）
2、負性光刻膠常溫下可保存3年
3、150度烘烤，縮短了烘烤時間
4、單次旋涂能夠達到100um膜厚
5、顯影速率快，100微米的膜厚，僅需6~8分鐘
應用領域 | 型號 | 特性 |
半導體 | NR9-PY | 用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫 |
NR71-PY | 用于lift-off工藝，高溫，可作為間隔材料 | |
NR9-P | 高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕 | |
NR71-P | 做掩膜，適用于干法刻蝕，可作為間隔材料 | |
NR21-P | 100um的膜厚，具有良好的分辨率 | |
NR5 | 可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕 | |
PR1 | 耐高溫，用于一般圖案的正性光刻膠，離子刻蝕，濕法刻蝕 | |
IC1/DC5 | 濾波等電解質材料 | |
PC3 | 平坦化，臨時黏附及機械保護 | |
BDC1/PDC1/ZPDC1 | 摻雜工藝 | |
太陽能 | BDC1 | 摻硼材料 |
PDC1 | 摻磷材料 | |
NR71/NR9-PY | 用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料 | |
NR9-P | 高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕 | |
LED/OLED/HBLED | NR9-PY | 用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫 |
NR71-P | 做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料 | |
IC1 | 濾波等電解質材料 | |
MEMS | NR9-P | 高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕 |
NR5/NR71 | 可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕/做掩膜，可作間隔材料 | |
NR2 | 可實現120um膜厚，6：1深寬比的圖案，適用于電鍍、濕法刻蝕 | |
NR71/NR9-PY | 用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料 | |
PC3 | 平坦化，臨時黏附及機械保護 | |
IC1 | 濾波等電解質材料 | |
微流體與生物芯片 | NR71-P | 做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料 |
NR2 | 可實現120um膜厚，6：1深寬比的圖案，適用于電鍍、濕法刻蝕 | |
NR5 | 可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕 | |
光電子 | NR71/NR9-PY | 用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料 |
NR71-P | 做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料 | |
PR1 | 刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂 | |
NR9-P | 高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕 | |
NR2-P | 可實現100um膜厚的凹凸圖案，分辨率好，易于去膠 | |
封裝 | NR2-P | 可實現100um膜厚的凹凸圖案，分辨率好，易于去膠 |
NR5 | 可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕 | |
PR1 | 刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂 | |
平坦化 | PC3 | 平坦化，臨時黏附及機械保護 |
圖案印刷 | PR1 | 刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂 |
NR9 | 增強了黏附性，適用于噴涂和輥涂 | |
顯影液 | RD6 | 顯影時間短，適用于正、負性光刻膠， |
去膠液 | RR41/RR5 | 可以安全、高效的去除光刻膠及臨時涂層，適用于多種襯底材料 |
邊膠清洗液 | EBR2 | 高效、快速的邊膠去除 |
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